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存儲(chǔ)芯片高低溫?zé)釠_擊設(shè)備的測(cè)試要求

文章出處 : 技術(shù)知識(shí) 文章編輯 : 環(huán)儀儀器 閱讀量 : 發(fā)表時(shí)間 : 2024-11-05

在存儲(chǔ)芯片的生產(chǎn)制造過(guò)程中,需要進(jìn)行各種可靠性試驗(yàn),其中高低溫沖擊試驗(yàn)就是一項(xiàng)重要的測(cè)試項(xiàng)目,下面,我們結(jié)合實(shí)際測(cè)試要求,來(lái)看看存儲(chǔ)芯片的高低溫?zé)釠_擊試驗(yàn)是怎么做的。

存儲(chǔ)芯片高低溫?zé)釠_擊試驗(yàn)流程:

試驗(yàn)設(shè)備:環(huán)儀儀器 存儲(chǔ)芯片高低溫?zé)釠_擊試驗(yàn)箱

存儲(chǔ)芯片高低溫?zé)釠_擊設(shè)備的測(cè)試要求(圖1)

試驗(yàn)條件:

高溫80℃:30min

低溫-40℃:30min

轉(zhuǎn)換時(shí)間:高溫和低溫變化在5min內(nèi)完成

存儲(chǔ)芯片高低溫?zé)釠_擊設(shè)備的測(cè)試要求(圖2)

試驗(yàn)評(píng)價(jià)方法:

1.在(新 MODEL)新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)階段(DVT),實(shí)施 100CYCLE 試驗(yàn)之后,決定下期階段進(jìn)行可能與否。

2.(量產(chǎn) MODEL)市場(chǎng)及工程發(fā)生品質(zhì)問(wèn)題時(shí),生產(chǎn)技術(shù)科內(nèi)部選定另外 MODEL實(shí)施,試驗(yàn) CYCLE 基準(zhǔn)在1次100CYCLE 試驗(yàn)實(shí)施之后,確認(rèn)無(wú)異常時(shí),進(jìn)行2 次 100 CYCLE 延長(zhǎng)試驗(yàn)

3.在試驗(yàn)之前,檢查樣品的表面狀態(tài)。

設(shè)備參數(shù):

存儲(chǔ)芯片高低溫?zé)釠_擊設(shè)備的測(cè)試要求(圖3)


以上就是存儲(chǔ)芯片的高低溫?zé)釠_擊試驗(yàn)要求,如有試驗(yàn)疑問(wèn),可以咨詢環(huán)儀儀器相關(guān)技術(shù)人員。

文章標(biāo)簽 : 高低溫沖擊試驗(yàn)箱

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